集650V 氮化镓HEMT和栅极驱动器于一身——罗姆EcoGaN™ Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB” 助力减少服务器和AC适配器等的损耗和体积！
近年来，为了实现社会可持续性发展，对工业设备和消费电子的电源提出了更高的节能要求。
GaN HEMT*作为一种有助于大幅提高功率转换效率和实现小型化的器件被寄予厚望。然而，与Si MOSFET相比，GaN HEMT的栅极处理难度较大，必须与栅极驱动器结合使用。
针对这种需求，全球知名半导体制造商ROHM（罗姆） 结合其所擅长的功率和模拟两种核心技术优势，面向数据服务器等工业设备和AC适配器等消费电子设备的一次侧电源，开发出集650V GaN HEMT和栅极驱动器等于一体的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）系列。该产品的问世使得称为“下一代功率半导体”的GaN器件实现轻松安装。
BM3G0xxMUV-LB系列亮点
• 集成了新一代功率器件650V GaN HEMT，能够更大程度激发出GaN HEMT性能的专用栅极驱动器、新增功能以及外围元器件。
• 支持更宽的驱动电压范围（2.5V～30V），拥有支持一次侧电源各种控制器IC的性能，因此可以替换现有的Si MOSFET（Super Junction MOSFET／以下简称“Si MOSFET”）。
• 与Si MOSFET相比，器件体积可减少约99%，功率损耗可降低约55%，因此可同时实现更低损耗和更小体积。
应用领域
• 适用于内置一次侧电源（AC-DC或PFC电路）的各种应用
• 工业设备：服务器、OA设备
• 消费电子：白色家电、AC适配器、电脑、电视、冰箱、空调
ROHM|罗姆 与Würth Elektronik|伍尔特电子：BM3G007MUV-EVK-002 评估板
ROHM|罗姆 与Würth Elektronik|伍尔特电子 合作开发BM3G007MUV-EVK-002(PFC 240W) 评估板。
Würth Elektronik|伍尔特电子 配套产品
691137910003【WR-TBL 系列 1379 - 7.50 mm 接线端子】
890334023023CS和890334025039CS【WCAP-FTXX 薄膜电容】
860020672012和861021486029【WCAP-ATG5 铝电解电容】
885012206089【WCAP-CSGP MLCCs 贴片电容】
联系我们
ROHM EcoGaN™ Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”产品及评估板现已发售，预知更多产品信息，购买评估板，或申请配套元器件样品，欢迎通过以下方式联系我们：
ROHM|罗姆：https://www.rohm.com.cn/contactus
Würth Elektronik|伍尔特电子：icref-cn@we-online.com
注释：*GaN HEMT
GaN（氮化镓）是一种用于新一代功率元器件的化合物半导体材料。与普通的半导体材料——Si（硅）相比，具有更优异的物理性能，目前，因其具有出色的高频特性，越来越多的应用开始采用这种材料。HEMT是High Electron Mobility Transistor（高电子迁移率晶体管）的英文首字母缩写。
＜什么是EcoGaN™＞
EcoGaN™是通过更大程度地发挥GaN的性能，助力应用产品进一步节能和小型化的ROHM GaN器件，该系列产品有助于应用产品进一步降低功耗、实现外围元器件的小型化、减少设计工时和元器件数量等。
・EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。