MG600Q2YMS3

SiC MOSFET Modules

产品概要

Feature All SiC MOSFET type
Application High power switching (Power conversion, Motor drive)
Circuit Configuration 2in1
RoHS Compatible Product(s) (#) Available

封装

Toshiba Package Name 2-153A1A
Mounting Surface Mount

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绝对最大额定值

项目 符号 单位
Drain current (DC) ID 600 A
Drain-Source voltage VDSS 1200 V
Channel temperature Tch 150

电气特性

项目 符号 条件 单位
Drain-source on-voltage(Sense terminal) (Typ.) VDS(on)sense ID=600A
Tch=25℃
VGS=20V
0.9 V
Source-drain off-voltage(Sense terminal) (Typ.) VSD(off)sense IS=600A
Tch=25℃
VGS=-6V
1.6 V
Turn-on switching loss (Typ.) Eon - 25 mJ
Turn-off switching loss (Typ.) Eoff - 28 mJ
Reverse recovery loss (Typ.) Err - 0.8 mJ
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Aug,2022

(Note)

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